Думаю, что устойчивость энергонезависимой памяти на воздействие жесткого излучения можно легко испытать.
Есть рентген-кабинеты. Можно в контроллере «забить» всю память без защитного бита, завернуть его в бумажный пакет, облучить секунд 10, для начала, затем прочитать память и сравнить с ранее записанной. Результаты выложить здесь.
Вполне реализуемый эксперимент.
**Конечно, ИСЗ подвержен воздействию жестких излучений гораздо дольше, время можно увеличить.